晶體振蕩器與MEMS振蕩器的比較
理論上，為電子設備和通信系統設備選擇振蕩器是一個重要的因素影響系統性能的因素。在本應用筆記中，我們測量并比較了兩種不同類型的振蕩器: 1.基本石英晶體振蕩器， 2.一種MEMS(微機電系統)振蕩器。
振蕩器的結構和特性
晶體振蕩器由使用基模石英晶體的基本結構和簡單的振蕩器電路。
相比之下，MEMS振蕩器具有復雜的結構，包括諧振器、小數N分頻PLL，以及溫度補償和制造校準。MEMS振蕩器使用硅諧振器作為振蕩源，需要PLL電路來校正頻率制造公差和溫度系數
晶體振蕩器和MEMS振蕩器的性能比較
我們測量了一個晶體振蕩器和一個MEMS振蕩器，并比較了每個振蕩器的四個參數：1. 相位噪聲和相位抖動 2.功率消耗 3.振蕩器啟動特性 4.頻率溫度特性,對于通信、工業和消費電子產品設備的設計至關重要。
1.相位噪聲和相位抖動
我們考慮了三種頻率(40MHz、100MHz和156.25 MHz)并比較了晶體振蕩器到相同頻率的MEMS振蕩器。實驗室測量表明對于所有頻率，晶體振蕩器的相位噪聲都比MEMS振蕩器好得多。這兩種類型振蕩器的實測相位噪聲如下圖1–6所示

測試結果: 所有三個測試的晶體振蕩器都比三個MEMS振蕩器具有更好的抖動.

MHz	Phase Jitter
	MEMS Oscillator	Crystal Oscillator
40,0	5.67ps	0.19ps
100,0	2.61ps	0.07ps
156,25	1.87ps	0.03ps

2.功率消耗
40MHz晶振和40MHz MEMS振蕩器的功耗如下圖7所示

Vol\ Num	MEMS OSC 40MHz	Crystal OSC 40MHz
2,2	13,98	2,51
2,4	14,48	2,71
2,6	14,79	2,85
2,8	15,03	3,08
3,0	15,24	3,30
3,2	15,45	3,45
3,4	15,73	3,64
3,6	15,96	3,89
3,8	16,09	4,05
4,0	16,44	4,21
		Unit: mA

晶體振蕩器的功耗遠低 MEMS振蕩器。這是因為晶體振蕩器得益于電路結構簡單的基波振蕩源。
測試結果: MEMS振蕩器增加的電路增加了該設備的總功耗。MEMS振蕩器的功耗約為15mA，約為晶體振蕩器的5倍，使用增加硅振蕩器、PLL和LC VCO中的電流，以降低抖動。
3. 振蕩器啟動特性
40MHz晶體振蕩器和40MHz MEMS振蕩器的振蕩器啟動特性為如下圖8所示。

Vol\ Num	MEMS OSC 40MHz	Crystal OSC 40MHz
Vol\ Num	MEMS OSC 40MHz	Crystal OSC 40MHz
2,2	40,000,368	40,000,188
2,4	40,000,162	40,000,183
2,6	40,000,013	40,000,181
2,8	39,999,945	40,000,167
3,0	39,999,931	40,000,154
3,2	39,999,942	40,000,148
3,4	39,999,938	40,000,138
3,6	39,999,926	40,000,123
3,8	39,999,950	40,000,117
4,0	39,999,914	40,000,110
		Unit: MHz

Vol\ Num	MEMS OSC 40MHz	Crystal OSC 40MHz
Vol\ Num	MEMS OSC 40MHz	Crystal OSC 40MHz
2,2	9,20	4,70
2,4	4,05	4,57
2,6	0,31	4,52
2,8	-1,38	4,17
3,0	-1,73	3,85
3,2	-1,45	3,70
3,4	-1,55	3,45
3,6	-1,85	3,08
3,8	-1,25	2,93
4,0	-2,15	2,75
		Unit: ppm

快速啟動的振蕩器受益于較短的喚醒周期和較長的電池壽命。這對于開啟和關閉系統的消費電子和家庭自動化應用非常重要，快速節省電池電量。
測試結果: 晶體振蕩器比MEMS振蕩器發射更快，更穩定。
4.頻率溫度特性
40 MHz MEMS振蕩器和晶體振蕩器的頻率溫度特性，通過首先達到-40℃的穩定低溫來測量頻率和125MHz頻率，然后以+2.0℃/分鐘的速度將溫度升至+85℃。結果如所示下圖9–12

石英晶體振蕩器的頻率與溫度的關系遵循連續的三次曲線 AT晶體，在-40至+85°c溫度范圍內實現15ppm，這足以滿足大多數應用。
最初，MEMS振蕩器的頻率與溫度特性似乎優于晶體振蕩器的那些。然而，MEMS振蕩器的小數N分頻PLL電路會進行調整，以離散步長校正極高值的頻率(30 ppm/°C或3750ppm，從-40°C到+85°C) 硅諧振器的溫度系數。
圖9–12中MEMS振蕩器的鋸齒狀溫度曲線說明了這一點顯示分頻比切換以補償溫度變化時的頻率跳變。
溫補振蕩器(TCXO)使用模擬溫度補償和一個簡單的溫度補償電路，在-40至+85°C溫度范圍內可實現1 ppm的精度經歷這些頻率跳躍。TCXOs價格低廉，可廣泛購買溫度穩定性低至0.1ppm。

Crystal Oscillator vs. MEMS Oscillator
Electrical Characteristics		Crystal OSC	MEMS OSC
	1. Started oscillating voltage	Started: @0.9Vdc	Started: @2.1Vdc
	2. Voltage vs. Frequency characteristics	Crystal OSC is better as MEMS OSC (pls, refer to “test data”)
	3. Voltage vs. Current characteristics	Crystal OSC is better as MEMS OSC (pls, refer to “test data”)
	4. Temperature	Crystal OSC is better as MEMS OSC (pls, refer to “test data”), that MEMS OSC is jagged in a short time
	5. Jitter characteristics	40,0 MhZ: 0.19ps	40,0MhZ: 5.67ps
		100,0 MhZ: 0.07ps	100,0MhZ: 2.61ps
		156.25MhZ: 0.03ps	156.25MhZ: 1.87ps
	6. Phase noise	Crystal OSC is better as MEMS OSC (pls, refer to “test data”)
	7. Shield Effect	Crystal OSC is better as MEMS OSC (Crystal OSC have metal lid to do shield), Crystal OSC is hermetically sealed, as it has a ceramic housing, MEMS are not hermetically sealed
	8. Reliability	MEMS OSC is better as Crystal OSC
	9. ESD	MM: 400 Vdc HBM: over 4000 Vdc	n.A.
	10. Vibration	Freq. range: 10 ~ 2000Hz Peak to peak amplitude 1.5mm Peak value:20g`s Duration time of 3 orientations (X,Y,Z): 4hourse	n.A.
	11. Shock	5000g`s 0.3msec, 1/2 sinusoid 12 times for each direction (X,Y,Z)	Can withstand at least 50,000g shock
	12. High pressure test	100% been through 5Kg/cm²(5atm)/1.5hrs by Helium pressure and 4.5Kg/cm²/320mins (4.5atm) by Electronic test fluid pressure	n.A.
For availability		large selection available worldwide by many manufacturers	few manufacturers in the world (15% less in 2013)
Lead Time		7 – 30 days	more readily available
Temperature range		-40 - +125°C	-40 - +125°C
ROHS		yes	yes
Pin Layout		Pin and pin function can might compatible between Crystal OSC and MEMS OSC

結論：MEMS振蕩器似乎適用于高振動環境、非嚴格定時的應用以及信噪比不重要的應用。具有復雜調制方案，超高速通信或以下要求的應用，石英晶體振蕩器將利用低抖動、極高的Q值和出色的時間和石英的溫度穩定性，繼續提供出色的信噪比性能(即模數轉換器)。

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