Murata品牌XRCHA20M000F0A11R0晶振系列編碼完整報(bào)告
來(lái)源：http://m.huihuangyouhua.com.cn 作者：金洛鑫電子 2019年10月14
Murata品牌XRCHA20M000F0A11R0晶振系列編碼完整報(bào)告
作為與村田制作所有合作的公司,我們每年都會(huì)看到村田集團(tuán)在環(huán)境與環(huán)保方面的措施與成就,每年都會(huì)面向全社會(huì)和所有新老客戶,提供企業(yè)社會(huì)報(bào)告,CSR報(bào)告書,環(huán)境可持續(xù)發(fā)展性報(bào)告和環(huán)境報(bào)告等.因此集團(tuán)旗下所量產(chǎn)的石英晶體,陶瓷諧振器,振蕩器等頻率元件產(chǎn)品,均符合綠色生產(chǎn),無(wú)鉛環(huán)保的電子元件制造標(biāo)準(zhǔn).村田晶振按應(yīng)用可分為消費(fèi)級(jí),工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)等幾種,每一顆晶振都對(duì)應(yīng)不同的分類.
標(biāo)題中的這款XRCHA20M000F0A11R0晶振是屬于汽車級(jí)的,也就是說(shuō)主要應(yīng)用行車記錄儀,汽車導(dǎo)航,車載娛樂(lè)系統(tǒng),車載藍(lán)牙,車載通訊等汽車設(shè)備和系統(tǒng).通常達(dá)到汽車級(jí)的晶體或振蕩器,都可以算得上比較高端的晶振了,因?yàn)樗墓ぷ鳒囟戎辽贂?huì)達(dá)到-40℃~+100℃以上,可以承受相對(duì)高和低的氣溫,也能抵抗惡劣的工作環(huán)境.
XRCHA20M000F0A11R0只是村田石英晶體的原廠編碼,真正的系列型號(hào)是HCR2520晶振,是一款尺寸只有2.5*2.0*0.7mm的貼片晶振,常用于各種汽車設(shè)備及其他高要求產(chǎn)品身上.XRCHA20M000F0A11R0晶振編碼雖然用起來(lái)比較方便,但絕大部分人都不清楚其中的意義,因?yàn)椴还苁悄姆N封裝,開(kāi)頭的字母看起來(lái)都差不多,而且難以辨別是什么規(guī)格參數(shù)的.
上面的表格是金洛鑫電子截取的部分村田石英晶體原廠編碼的數(shù)據(jù)資料,從中我們可以確定XRCHA20M000F0A11R0代表的料號(hào)是HCR2520晶振,開(kāi)頭的5個(gè)字母后面的數(shù)字,大家也許能看得出來(lái),是該晶體的頻率,后面的數(shù)字和英文字母則代表其他不同的負(fù)載電容,頻率公差,溫度特性和包裝規(guī)格等信息.介紹完村田石英晶振的原廠編碼及其意義后,那接下來(lái),可以看下相關(guān)的晶體問(wèn)題,和處理方法及措施.
如果實(shí)際振蕩頻率偏離標(biāo)稱頻率,將考慮以下原因.
貼片晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)水平超過(guò)了指定的最大值.
實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)格中的規(guī)定值不同
振蕩不正常
晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)水平超過(guò)了指定的最大值.
晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)級(jí)別在驅(qū)動(dòng)級(jí)別規(guī)格之內(nèi)很重要.
過(guò)多的驅(qū)動(dòng)水平可能會(huì)導(dǎo)致更高的貼片晶振振蕩頻率或更大的R1.
請(qǐng)?jiān)谙旅鎱⒖既绾螠y(cè)量驅(qū)動(dòng)器級(jí)別.
如何測(cè)量驅(qū)動(dòng)水平:
如果要降低驅(qū)動(dòng)器級(jí)別,可以采取以下措施.
措施1：大改變阻尼電阻
通過(guò)大幅度改變阻尼電阻,反相放大器的輸出幅度將衰減,實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平將變低.通過(guò)這種變化,振蕩余量將下降.因此最好檢查SMD晶振振蕩余量是否超過(guò)5倍.另外,需要注意振蕩幅度不要過(guò)小.
措施2：減小外部負(fù)載電容
通過(guò)減小外部負(fù)載電容,由于振蕩電路的高阻抗,實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平變低.在這種情況下,實(shí)際的振蕩頻率由于負(fù)載電容小而變高.因此,最好檢查實(shí)際振蕩頻率是否在所需的頻率范圍內(nèi).
實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)格中的規(guī)定值不同
晶體單元的振蕩頻率按其規(guī)格中指定的負(fù)載電容排序.
因此,如果實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)范中指定的負(fù)載電容不同,則實(shí)際振蕩頻率可能與貼片晶振的標(biāo)稱頻率不同.
可以通過(guò)以下措施調(diào)整此頻率差.
措施1：調(diào)整外部負(fù)載電容
為了使外部負(fù)載電容變大,實(shí)際振蕩頻率變低.請(qǐng)注意,如果外部負(fù)載電容較大,則振蕩容限將較低.外部負(fù)載電容較大時(shí),振蕩幅度可能會(huì)很小.
措施2：更換指定不同負(fù)載電容的晶振單元
為了使用規(guī)定的大負(fù)載電容的Quartz Crystal單元,實(shí)際的振蕩頻率會(huì)變高.例:您需要30MHz的頻率,并應(yīng)用一個(gè)標(biāo)稱頻率為30MHz的晶體單元,負(fù)載電容為6pF.但是您可以確定,從30MHz開(kāi)始實(shí)際振蕩頻率低30ppm.實(shí)際電路板上的負(fù)載電容似乎大于6pF.因此,您將指定為30MHz的晶振單元更改為8pF作為負(fù)載電容.通過(guò)此更改,實(shí)際的振蕩頻率從30MHz開(kāi)始低5ppm,您可以調(diào)整頻率差.
Murata品牌XRCHA20M000F0A11R0晶振系列編碼完整報(bào)告
作為與村田制作所有合作的公司,我們每年都會(huì)看到村田集團(tuán)在環(huán)境與環(huán)保方面的措施與成就,每年都會(huì)面向全社會(huì)和所有新老客戶,提供企業(yè)社會(huì)報(bào)告,CSR報(bào)告書,環(huán)境可持續(xù)發(fā)展性報(bào)告和環(huán)境報(bào)告等.因此集團(tuán)旗下所量產(chǎn)的石英晶體,陶瓷諧振器,振蕩器等頻率元件產(chǎn)品,均符合綠色生產(chǎn),無(wú)鉛環(huán)保的電子元件制造標(biāo)準(zhǔn).村田晶振按應(yīng)用可分為消費(fèi)級(jí),工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)等幾種,每一顆晶振都對(duì)應(yīng)不同的分類.
XRCHA20M000F0A11R0只是村田石英晶體的原廠編碼,真正的系列型號(hào)是HCR2520晶振,是一款尺寸只有2.5*2.0*0.7mm的貼片晶振,常用于各種汽車設(shè)備及其他高要求產(chǎn)品身上.XRCHA20M000F0A11R0晶振編碼雖然用起來(lái)比較方便,但絕大部分人都不清楚其中的意義,因?yàn)椴还苁悄姆N封裝,開(kāi)頭的字母看起來(lái)都差不多,而且難以辨別是什么規(guī)格參數(shù)的.
| XRCHA16M000F0A01R0 | HCR2520晶振 | 16.0000MHz | 汽車級(jí) |
| XRCHA16M000F0A11R0 | HCR2520晶振 | 16.0000MHz | 汽車級(jí) |
| XRCHA16M000F0A12R0 | HCR2520晶振 | 16.0000MHz | 汽車級(jí) |
| XRCHA16M000F0A13R0 | HCR2520晶振 | 16.0000MHz | 汽車級(jí) |
| XRCHA16M000F0L01R0 | HCR2520晶振 | 16.0000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCHA16M000F0Z01R0 | HCR2520晶振 | 16.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCHA20M000F0A01R0 | HCR2520晶振 | 20.0000MHz | 汽車級(jí) |
| XRCHA20M000F0A11R0 | HCR2520晶振 | 20.0000MHz | 汽車級(jí) |
| XRCHA20M000F0A12R0 | HCR2520晶振 | 20.0000MHz | 汽車級(jí) |
| XRCHA20M000F0A13R0 | HCR2520晶振 | 20.0000MHz | 汽車級(jí) |
| XRCHA20M000F0L01R0 | HCR2520晶振 | 20.0000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCHA20M000F0Z01R0 | HCR2520晶振 | 20.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCHA24M000F0A01R0 | HCR2520晶振 | 24.0000MHz | 汽車級(jí) |
| XRCHA24M000F0A11R0 | HCR2520晶振 | 24.0000MHz | 汽車級(jí) |
| XRCHA24M000F0A12R0 | HCR2520晶振 | 24.0000MHz | 汽車級(jí) |
| XRCHA24M000F0A13R0 | HCR2520晶振 | 24.0000MHz | 汽車級(jí) |
| XRCHH16M000F1QB7P0 | TAS-2520F晶振 | 16.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCHH20M000F1QB1P0 | TAS-2520F晶振 | 20.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCHH26M000F1QD8P0 | TAS-2520F晶振 | 26.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCHH36M000F1QA3P0 | TAS-2520F晶振 | 36.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCHH40M000F1QB3P0 | TAS-2520F晶振 | 40.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCHH52M000F1QA2P0 | TAS-2520F晶振 | 52.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCHJ16M000F1QB1P0 | TDS-2520F晶振 | 16.0000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCHJ19M200F1QA9P0 | TDS-2520F晶振 | 19.2000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCHJ20M000F1QA7P0 | TDS-2520F晶振 | 20.0000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCHJ26M000F1QD1P0 | TDS-2520F晶振 | 26.0000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCHJ36M000F1QA0P0 | TDS-2520F晶振 | 36.0000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCHJ40M000F1QB0P0 | TDS-2520F晶振 | 40.0000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCHJ52M000F1QA0P0 | TDS-2520F晶振 | 52.0000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCJH13M000F1QA0P0 | TAS-3225J晶振 | 13.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCJH16M000F1QB5P0 | TAS-3225J晶振 | 16.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCJH20M000F1QB3P0 | TAS-3225J晶振 | 20.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCJH26M000F1QC1P0 | TAS-3225J晶振 | 26.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCJH36M000F1QA1P0 | TAS-3225J晶振 | 36.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCJH40M000F1QB2P0 | TAS-3225J晶振 | 40.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCJH52M000F1QA1P0 | TAS-3225J晶振 | 52.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCJK12M000F1QB4P0 | TSS-3225J晶振 | 12.0000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCJK13M000F1QA3P0 | TSS-3225J晶振 | 13.0000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCJK15M360F1QA0P0 | TSS-3225J晶振 | 15.3600MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCJK20M000F1QB3P0 | TSS-3225J晶振 | 20.0000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCJK24M576F1QA0P0 | TSS-3225J晶振 | 24.5760MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCJK26M000F1QC3P0 | TSS-3225J晶振 | 26.0000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCJK36M000F1QA0P0 | TSS-3225J晶振 | 36.0000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCJK40M000F1QA2P0 | TSS-3225J晶振 | 40.0000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCJK52M000F1QA0P0 | TSS-3225J晶振 | 52.0000MHz | 消費(fèi)級(jí) |
| XRCLH10M000F1QA4J1 | TAS-5032F晶振 | 10.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCLH10M000F1QA4P0 | TAS-5032F晶振 | 10.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCLH12M000F1QA0J1 | TAS-5032F晶振 | 12.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCLH12M000F1QA0P0 | TAS-5032F晶振 | 12.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCLH14M745F1QA0J1 | TAS-5032F晶振 | 14.7456MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCLH14M745F1QA0P0 | TAS-5032F晶振 | 14.7456MHz | 工業(yè)級(jí) |
| XRCLH16M000F1QA2J1 | TAS-5032F晶振 | 16.0000MHz | 工業(yè)級(jí) |
如果實(shí)際振蕩頻率偏離標(biāo)稱頻率,將考慮以下原因.
貼片晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)水平超過(guò)了指定的最大值.
實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)格中的規(guī)定值不同
振蕩不正常
晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)水平超過(guò)了指定的最大值.
晶振的實(shí)際驅(qū)動(dòng)級(jí)別在驅(qū)動(dòng)級(jí)別規(guī)格之內(nèi)很重要.
過(guò)多的驅(qū)動(dòng)水平可能會(huì)導(dǎo)致更高的貼片晶振振蕩頻率或更大的R1.
請(qǐng)?jiān)谙旅鎱⒖既绾螠y(cè)量驅(qū)動(dòng)器級(jí)別.
如何測(cè)量驅(qū)動(dòng)水平:
如果要降低驅(qū)動(dòng)器級(jí)別,可以采取以下措施.
措施1：大改變阻尼電阻
通過(guò)大幅度改變阻尼電阻,反相放大器的輸出幅度將衰減,實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平將變低.通過(guò)這種變化,振蕩余量將下降.因此最好檢查SMD晶振振蕩余量是否超過(guò)5倍.另外,需要注意振蕩幅度不要過(guò)小.
措施2：減小外部負(fù)載電容
通過(guò)減小外部負(fù)載電容,由于振蕩電路的高阻抗,實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平變低.在這種情況下,實(shí)際的振蕩頻率由于負(fù)載電容小而變高.因此,最好檢查實(shí)際振蕩頻率是否在所需的頻率范圍內(nèi).
實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)格中的規(guī)定值不同
晶體單元的振蕩頻率按其規(guī)格中指定的負(fù)載電容排序.
因此,如果實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)范中指定的負(fù)載電容不同,則實(shí)際振蕩頻率可能與貼片晶振的標(biāo)稱頻率不同.
可以通過(guò)以下措施調(diào)整此頻率差.
措施1：調(diào)整外部負(fù)載電容
為了使外部負(fù)載電容變大,實(shí)際振蕩頻率變低.請(qǐng)注意,如果外部負(fù)載電容較大,則振蕩容限將較低.外部負(fù)載電容較大時(shí),振蕩幅度可能會(huì)很小.
措施2：更換指定不同負(fù)載電容的晶振單元
為了使用規(guī)定的大負(fù)載電容的Quartz Crystal單元,實(shí)際的振蕩頻率會(huì)變高.例:您需要30MHz的頻率,并應(yīng)用一個(gè)標(biāo)稱頻率為30MHz的晶體單元,負(fù)載電容為6pF.但是您可以確定,從30MHz開(kāi)始實(shí)際振蕩頻率低30ppm.實(shí)際電路板上的負(fù)載電容似乎大于6pF.因此,您將指定為30MHz的晶振單元更改為8pF作為負(fù)載電容.通過(guò)此更改,實(shí)際的振蕩頻率從30MHz開(kāi)始低5ppm,您可以調(diào)整頻率差.
Murata品牌XRCHA20M000F0A11R0晶振系列編碼完整報(bào)告
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