本篇文章主要提供了與晶體振蕩器測試相關的一些常見問題的答案。

1. ESD(靜電敏感器件)處理

晶體振蕩器是靜電敏感器件，避免用手指直接接觸端子。必須按照IEC 61340-5-1和EN 100015-1建立的ESD處理規則進行正確的處理，以避免靜電損壞內部電路而導致振蕩器性能下降。如果沒有特別說明，我們的振蕩器符合根據IEC 61000-4-2的人體模型(HBM)的要求。

2. 處理

在操作過程中以及手動和自動組裝過程中，必須避免過度的機械沖擊。如果振蕩器無意中被摔落或受到強烈沖擊，應驗證其電氣功能是否仍在規范范圍內。

3.電力供應

為避免電勢失控，石英晶體振蕩器應在所有端子連接正確后才上電。必須避免將“熱插入”到已經連接到電源的夾具中，

極性錯誤或電源電壓過高會對振蕩器造成永久性損壞。

強烈建議在振蕩器的直流電源輸入(VCC)端子和接地(GND)端子之間增加一個或兩個接線最短的阻塞電容。典型值為10nf (X7R)和100pf (C0G)。µF范圍內的額外散裝電容器可以插入電路板上的任何位置，良好的工程實踐是使用接地和供電電壓平面(多層)印刷電路板。

4. 輸出功率
a.正弦波輸出50 Ω終止

50 Ω終端應直接連接在RF輸出端或50 Ω同軸電纜的末端。如果需要多個連接(例如到示波器或功率計和頻率計數器)，則應使用50 Ω功率分配器或耦合器。為了精確的幅度測量，必須確保測試儀器的輸入阻抗精確地為50 Ω，且駐波比在規定的范圍內。對于某些示波器和頻率計數器來說，情況并非如此。在這種情況下，應在儀器輸入端插入10db衰減器b.單方波(邏輯)輸出

i.TTL輸出

CL = 5 pF per gate (fan-out). It includes the input capacitance of the probe or oscilloscope
ii.(H)CMOS和LVCMOS輸出

CL = 15 pF or 50 pF, depends on the specification. It includes the input capacitance of the probe or oscilloscope
c.兩個互補的方波輸出

i.PECL輸出

ii.LVDS輸出

注意：同軸電纜，其端接不以其標稱阻抗(通常50 Ω)會造成輸出信號的失真和退化，原因有兩個
-阻抗失配會產生反射，從而導致波形失真。對方波邏輯輸出信號的影響尤其顯著。
-非端接同軸電纜對地的輸入阻抗約為100pf /米(只要電纜長度比四分之一波長小)。該電容與所連接設備(如測試儀器)的輸入電容相連接，產生電容性過載條件，從而使輸出電壓失真和退化。
5. 電子頻率控制(EFC)
為電子頻率控制(EFC)提供手段的晶體振蕩器必須正確連接，以確保在規定的公差范圍內以標稱頻率運行。在任何情況下都應該避免EFC (VC)輸入浮動。
a.外部控制電壓
如果EFC輸入由外部直流控制電壓饋送，則必須注意，通過直接在VC和進口晶體振蕩器的接地(GND)端子之間施加控制電壓來避免帶有直流電源電流的接地回路。
注意:來自EFC電源的噪聲可能會降低射頻信號的相位噪聲和抖動性能。因此，電池或超低噪聲直流電源對于精確的相位噪聲和抖動測量是必要的。為避免噪音進入EFC端口，EFC引腳不應保持浮動打開狀態。
b.外部電位器
如果外部電位器用于頻率控制，其電阻應低于EFC (VC)輸入的輸入阻抗至少五倍。
某些振蕩器(TCXO和OCXO)提供單獨的參考電壓輸出(VREF)端子，用于提供頻率控制電位器。該參考電壓具有低噪聲，并且在制造過程中的溫度補償過程中考慮了其對溫度的穩定性。連接方案如下所示：

電位器POT應該是低噪聲(金屬陶瓷或金屬薄膜)類型，其電阻值必須選擇這樣，即不超過VREF輸出的最大允許電流損耗。10 kΩ在大多數情況下是合適的，強烈建議在VC輸入處附加濾波。
6. 溫度下頻率穩定性測試
重要的定義
工作溫度范圍:振蕩器保持規格的溫度范圍。

可工作溫度范圍:振蕩器仍可工作的溫度范圍，但可能超過某些參數。

• 頻率對溫度穩定性：在額定電壓和負載條件下，在工作溫度范圍內振蕩器頻率的最大偏差，沒有隱含參考，其他條件不變。
f-T stability = ±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)
初始頻率-溫度精度:振蕩器頻率的最大偏差是指在標稱電源和負載條件下，在工作溫度范圍內的標稱頻率，其他條件不變。

f-T accuracy = ± MAX[δfmax,δfmin],

where δfmax = |(fmax-fnom)/fnom|

δfmin = |(fmin-fnom)/fnom|